硅太陽(yáng)能電池去繞鍍多晶硅或非晶硅用添加劑、去繞鍍方法及改善N型電池良率的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911328351.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113013029A 公開(kāi)（公告）日 2021-06-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN113013029A 申請(qǐng)公布日 2021-06-22
分類(lèi)號(hào) H01L21/306;H01L31/18;C09G1/18 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 張臨安;鄧偉偉 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 阜寧阿特斯陽(yáng)光電力科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專(zhuān)利代理有限公司 代理人 鞏克棟
地址 215129 江蘇省蘇州市高新區(qū)鹿山路199號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了硅太陽(yáng)能電池去繞鍍多晶硅或非晶硅用添加劑、去繞鍍方法及改善N型電池良率的方法。所述添加劑的主要成分包括：消泡劑3wt％?8wt％，表面活性劑5wt％?13wt％，分散劑2wt％?7wt％，緩釋劑1wt％?5wt％，功能性助劑5wt％?14wt％，山梨酸鉀1wt％?4wt％。所述去繞鍍方法包括：采用包含堿和所述添加劑的去繞鍍?cè)噭?，利用濕化學(xué)方法，對(duì)繞鍍多晶硅或非晶硅的硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行去繞鍍反應(yīng)。本發(fā)明提供的添加劑適用于硅太陽(yáng)能電池去繞鍍多晶硅或非晶硅過(guò)程，該添加劑可以在堿液去繞鍍多晶硅或非晶硅的過(guò)程中起到保護(hù)氧化硅的目的，保護(hù)硅太陽(yáng)能電池片的正面和/或背面不被破壞。