一種3d堆疊芯片的鍵合鍵布設(shè)結(jié)構(gòu)
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111338758.2 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113782510A | 公開(公告)日 | 2021-12-10 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113782510A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-10 |
分類號(hào) | H01L23/488(2006.01)I;H01L23/49(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I;H01L31/107(2006.01)I;G01J1/44(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 朱春艷;張超;呂京穎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 深圳市靈明光子科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 熊永強(qiáng) |
地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道福光社區(qū)留仙大道3370號(hào)南山智園崇文園區(qū)3號(hào)樓1201 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請(qǐng)公開了一種3d堆疊芯片的鍵合鍵布設(shè)結(jié)構(gòu),包括上下位置堆疊設(shè)置的SPAD芯片和邏輯芯片,SPAD芯片包括多個(gè)SPAD單元,每個(gè)SPAD單元中對(duì)應(yīng)布設(shè)多個(gè)第一鍵合鍵,邏輯芯片包括與SPAD單元數(shù)量相同的淬滅復(fù)位電路單元,淬滅復(fù)位電路單元的面積小于SPAD單元的面積,每個(gè)淬滅復(fù)位電路單元中對(duì)應(yīng)布設(shè)至少一個(gè)第二鍵合鍵,每個(gè)淬滅復(fù)位電路單元通過至少一個(gè)第二鍵合鍵與對(duì)應(yīng)的SPAD單元的至少一個(gè)第一鍵合鍵電連接,其中,用于電連接的第一鍵合鍵為有效第一鍵合鍵,用于電連接的第二鍵合鍵為有效第二鍵合鍵。該結(jié)構(gòu)的改進(jìn)能夠使得光子感測(cè)芯片的芯片面積利用率更高,光子感測(cè)芯片面積變小。 |
