硅晶體的連續(xù)生長裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810707594.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108754610B 公開（公告）日 2020-03-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN108754610B 申請(qǐng)公布日 2020-03-17
分類號(hào) C30B30/04;C30B29/02 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 長泰惠龍新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 嘉興啟帆專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 嘉興金瑞光伏科技有限公司;長泰惠龍新材料科技有限公司
地址 314202 浙江省嘉興市平湖市林埭鎮(zhèn)保豐村01省道170號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅晶體的連續(xù)生長裝置，尤其適用于單晶硅，準(zhǔn)單晶硅及多晶硅的制備。所述裝置具有雙熔區(qū)：主熔煉室可以用于晶體生長，一個(gè)輔助投料熔煉室可以作為連續(xù)高溫熔體投料區(qū)。輔助投料熔煉室：配有兩區(qū)的感應(yīng)加熱磁場，用于給多晶料加熱。當(dāng)上熔煉系統(tǒng)的料用盡以后在坩堝下料口的感應(yīng)線圈斷電后具有強(qiáng)制冷卻的作用，使得多晶料凝固密封下料口。連續(xù)投料區(qū)有兩組電磁約束磁場，控制熔體的上下運(yùn)動(dòng)。晶體生長區(qū)具有電磁約束磁場，使得熔體在無側(cè)壁坩堝的條件下定向生長。通過投料區(qū)可以多次向晶體生長區(qū)投高溫熔體料，實(shí)現(xiàn)晶體的穩(wěn)定連續(xù)生長。