基于CsPbX3納米晶的協(xié)同作用制備鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811198352.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109360893A 公開（公告）日 2019-02-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN109360893A 申請(qǐng)公布日 2019-02-19
分類號(hào) H01L51/42;H01L51/48 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳棋;李煜璟;宰華超;孫于超 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京曜能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京理工大學(xué)專利中心 代理人 楊志兵;仇蕾安
地址 100085 北京市海淀區(qū)上地信息路12號(hào)4層A區(qū)A407
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于CsPbX3納米晶的協(xié)同作用制備鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法，屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域。所示鈣鈦礦太陽(yáng)能電池依次由導(dǎo)電基底、電子傳輸層、鈣鈦礦光吸收層、空穴傳輸層以及對(duì)電極組成，主要是采用打發(fā)溶劑法將含有CsPbX3納米晶的反溶劑膠體溶液涂覆在鈣鈦礦光吸收層上，將CsPbX3納米晶摻入到鈣鈦礦吸收層中。CsPbX3納米晶的引入從原子層面上對(duì)鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)進(jìn)行界面修飾，改善了鈣鈦礦薄膜的結(jié)晶質(zhì)量，降低缺陷密度；而且CsPbX3納米晶在鈣鈦礦薄膜上形成梯度異質(zhì)結(jié)，改進(jìn)了鈣鈦礦光吸收層和空穴傳輸層之間界面的載流子傳輸行為，進(jìn)而提高了電池的光電轉(zhuǎn)換效率以及電池的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。