一種窄線寬激光器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202022214888.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN213278692U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN213278692U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-25 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01S5/20(2006.01)I;H01S5/065(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 分類(lèi) | - |
| 發(fā)明人 | 鮮青云;王任凡 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 武漢敏芯半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 聶俊偉 |
| 地址 | 430000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)金融港四路18號(hào)普天物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新研發(fā)基地（一期）1棟3層02室03號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供一種窄線寬激光器，窄線寬激光器包括從下往上外延生長(zhǎng)的背電極、InP襯底層、有源區(qū)下限制層、InGaAsP有源區(qū)、有源區(qū)上限制層、InP層和InGaAs接觸層，所述InGaAs接觸層向下刻蝕有深溝槽陣列，每一個(gè)深溝槽的深度穿過(guò)所述InGaAsP有源區(qū)，所述InGaAs接觸層上鍍有金屬電極。本實(shí)用新型采用深刻蝕槽可以減少光經(jīng)過(guò)槽側(cè)面時(shí)候的散射損耗，減少腔外損耗，輸出線寬較窄，輸出光能量密度高。?? |
