一種窄線寬激光器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022214888.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN213278692U 公開(kāi)(公告)日 2021-05-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN213278692U 申請(qǐng)公布日 2021-05-25
分類(lèi)號(hào) H01S5/20(2006.01)I;H01S5/065(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I 分類(lèi) -
發(fā)明人 鮮青云;王任凡 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 武漢敏芯半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 聶俊偉
地址 430000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)金融港四路18號(hào)普天物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新研發(fā)基地(一期)1棟3層02室03號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種窄線寬激光器,窄線寬激光器包括從下往上外延生長(zhǎng)的背電極、InP襯底層、有源區(qū)下限制層、InGaAsP有源區(qū)、有源區(qū)上限制層、InP層和InGaAs接觸層,所述InGaAs接觸層向下刻蝕有深溝槽陣列,每一個(gè)深溝槽的深度穿過(guò)所述InGaAsP有源區(qū),所述InGaAs接觸層上鍍有金屬電極。本實(shí)用新型采用深刻蝕槽可以減少光經(jīng)過(guò)槽側(cè)面時(shí)候的散射損耗,減少腔外損耗,輸出線寬較窄,輸出光能量密度高。??