一種超輻射發(fā)光二極管及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> 2020112235446 申請日 -
公開(公告)號 CN112259649A 公開(公告)日 2021-01-22
申請公布號 CN112259649A 申請公布日 2021-01-22
分類號 H01L33/00(2010.01)I; 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張明洋;王任凡 申請(專利權(quán))人 武漢敏芯半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 代理人 許美紅
地址 430014湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)金融港四路18號普天物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新研發(fā)基地(一期)1棟3層02室03號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種超輻射發(fā)光二極管及其制作方法,該方法包括以下步驟:在襯底上依次外延生長出下光限制層、第一MQW多量子阱層以及上光限制層;通過刻蝕去掉其中一部分第一MQW多量子阱層,然后在該區(qū)域?qū)由L第二MQW多量子阱層;兩多量子阱層的能帶間隙不同;然后制作出異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu);最后在有源區(qū)兩側(cè)的異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)中各刻蝕出一道溝槽,并在溝槽內(nèi)均設(shè)置一定厚度的金屬層,為有源區(qū)引入額外應(yīng)變。本發(fā)明通過采用對接生長的方法,生長兩種能帶間隙不同的MQW多量子阱作為有源層,可以很好的控制外延生長的質(zhì)量,通過在有源區(qū)兩側(cè)的溝槽內(nèi)設(shè)置金屬層,為有源區(qū)引入額外的應(yīng)變,進(jìn)而調(diào)整有源區(qū)應(yīng)力分布,達(dá)到降低偏振消光比的效果。??