一種超輻射發(fā)光二極管及其制作方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | 2020112235446 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112259649A | 公開（公告）日 | 2021-01-22 |
| 申請公布號 | CN112259649A | 申請公布日 | 2021-01-22 |
| 分類號 | H01L33/00(2010.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張明洋;王任凡 | 申請（專利權(quán)）人 | 武漢敏芯半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 | 代理人 | 許美紅 |
| 地址 | 430014湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)金融港四路18號普天物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新研發(fā)基地(一期)1棟3層02室03號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種超輻射發(fā)光二極管及其制作方法，該方法包括以下步驟：在襯底上依次外延生長出下光限制層、第一MQW多量子阱層以及上光限制層；通過刻蝕去掉其中一部分第一MQW多量子阱層，然后在該區(qū)域?qū)由L第二MQW多量子阱層；兩多量子阱層的能帶間隙不同；然后制作出異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)；最后在有源區(qū)兩側(cè)的異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)中各刻蝕出一道溝槽，并在溝槽內(nèi)均設(shè)置一定厚度的金屬層，為有源區(qū)引入額外應(yīng)變。本發(fā)明通過采用對接生長的方法，生長兩種能帶間隙不同的MQW多量子阱作為有源層，可以很好的控制外延生長的質(zhì)量，通過在有源區(qū)兩側(cè)的溝槽內(nèi)設(shè)置金屬層，為有源區(qū)引入額外的應(yīng)變，進(jìn)而調(diào)整有源區(qū)應(yīng)力分布，達(dá)到降低偏振消光比的效果。?? |
