一種雪崩光電探測器及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110019792.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112382689B | 公開(公告)日 | 2021-05-11 |
申請公布號 | CN112382689B | 申請公布日 | 2021-05-11 |
分類號 | H01L31/107;H01L31/0216;H01L31/0304;H01L31/18 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 徐之韜;王權(quán)兵;王丹;余沛;王任凡 | 申請(專利權(quán))人 | 武漢敏芯半導(dǎo)體股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京中強智尚知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 郭曉迪 |
地址 | 430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種雪崩光電探測器及其制備方法,其中,所述光電探測器外延結(jié)構(gòu)從下至上依次包括:Si?InP(Fe)襯底、N?InP緩沖層、N?接觸層、N?導(dǎo)電層、雪崩倍增層、電場控制層、AlGaInAs帶隙過渡層、光吸收層、InGaAsP帶隙過渡層、光窗層和P?接觸層;光電探測器還包括形成于P?接觸層、光窗層、InGaAsP帶隙過渡層和光吸收層中的Zn擴散區(qū)、在N?接觸層上設(shè)置的N型電極、以及在Zn擴散區(qū)上設(shè)置的P型電極;其中,N?接觸層、P?接觸層和光窗層均采用InGaAsP材料制備而成。本發(fā)明通過將N?接觸層、P?接觸層和光窗層均采用InGaAsP材料制備而成,可有效提升光吸收效率,改善器件串聯(lián)電阻,改善器件帶寬,并使器件制作工藝流程更簡單;使本發(fā)明提供的光探測器的產(chǎn)品可靠性提高。 |
