一種雪崩光電探測器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110019792.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112382689B 公開（公告）日 2021-05-11
申請公布號 CN112382689B 申請公布日 2021-05-11
分類號 H01L31/107;H01L31/0216;H01L31/0304;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐之韜;王權(quán)兵;王丹;余沛;王任凡 申請（專利權(quán)）人 武漢敏芯半導(dǎo)體股份有限公司
代理機構(gòu) 北京中強智尚知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭曉迪
地址 430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種雪崩光電探測器及其制備方法，其中，所述光電探測器外延結(jié)構(gòu)從下至上依次包括：Si?InP(Fe)襯底、N?InP緩沖層、N?接觸層、N?導(dǎo)電層、雪崩倍增層、電場控制層、AlGaInAs帶隙過渡層、光吸收層、InGaAsP帶隙過渡層、光窗層和P?接觸層；光電探測器還包括形成于P?接觸層、光窗層、InGaAsP帶隙過渡層和光吸收層中的Zn擴散區(qū)、在N?接觸層上設(shè)置的N型電極、以及在Zn擴散區(qū)上設(shè)置的P型電極；其中，N?接觸層、P?接觸層和光窗層均采用InGaAsP材料制備而成。本發(fā)明通過將N?接觸層、P?接觸層和光窗層均采用InGaAsP材料制備而成，可有效提升光吸收效率，改善器件串聯(lián)電阻，改善器件帶寬，并使器件制作工藝流程更簡單；使本發(fā)明提供的光探測器的產(chǎn)品可靠性提高。