一種雙波長單片集成二極管及其制作方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011126795.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112186082B | 公開(公告)日 | 2021-04-09 |
申請公布號 | CN112186082B | 申請公布日 | 2021-04-09 |
分類號 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/08(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張明洋;王任凡 | 申請(專利權(quán))人 | 武漢敏芯半導(dǎo)體股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京云嘉湃富知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 李思霖 |
地址 | 430000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)金融港四路18號普天物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新研發(fā)基地(一期)1棟3層02室03號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種雙波長單片集成二極管及其制作方法,利用對接生長的方式,采用三次外延生長來實現(xiàn)三段式的結(jié)構(gòu),從而實現(xiàn)雙波長的單片集成的超輻射發(fā)光二極管,其利用光致發(fā)光譜波長更長的多量子阱MQW1作為公共吸收區(qū),兩端分別集成不同波長的多量子阱MQW1,多量子阱MQW2來作為有源增益區(qū)。還提供一種采用上述方法制作的雙波長單片集成二極管。采用本發(fā)明制作的邊發(fā)射的超輻射發(fā)光二極管,在波導(dǎo)方向生長不同能帶間隙的波長的材料,可以實現(xiàn)分開生長,而且不存在晶格匹配的問題,可以實現(xiàn)低波紋效應(yīng)、寬光譜、大功率、多波長的功能。?? |
