一種雙波長單片集成二極管及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011126795.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112186082B 公開（公告）日 2021-04-09
申請公布號 CN112186082B 申請公布日 2021-04-09
分類號 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/08(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張明洋;王任凡 申請（專利權(quán)）人 武漢敏芯半導(dǎo)體股份有限公司
代理機構(gòu) 北京云嘉湃富知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李思霖
地址 430000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)金融港四路18號普天物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新研發(fā)基地（一期）1棟3層02室03號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種雙波長單片集成二極管及其制作方法，利用對接生長的方式，采用三次外延生長來實現(xiàn)三段式的結(jié)構(gòu)，從而實現(xiàn)雙波長的單片集成的超輻射發(fā)光二極管，其利用光致發(fā)光譜波長更長的多量子阱MQW1作為公共吸收區(qū)，兩端分別集成不同波長的多量子阱MQW1，多量子阱MQW2來作為有源增益區(qū)。還提供一種采用上述方法制作的雙波長單片集成二極管。采用本發(fā)明制作的邊發(fā)射的超輻射發(fā)光二極管，在波導(dǎo)方向生長不同能帶間隙的波長的材料，可以實現(xiàn)分開生長，而且不存在晶格匹配的問題，可以實現(xiàn)低波紋效應(yīng)、寬光譜、大功率、多波長的功能。??