一種半導(dǎo)體激光器及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011544095.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN112290382B 公開(kāi)(公告)日 2021-04-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN112290382B 申請(qǐng)公布日 2021-04-02
分類號(hào) H01S5/183(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱堯;周志強(qiáng);劉倚紅;王任凡 申請(qǐng)(專利權(quán))人 武漢敏芯半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中強(qiáng)智尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王妍
地址 430223湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體激光器及其制作方法,該半導(dǎo)體激光器在諧振腔腔通過(guò)對(duì)接生長(zhǎng)的方式集成無(wú)源區(qū)的第一波導(dǎo)層和第二波導(dǎo)層,在有源區(qū)注入電流產(chǎn)生光增益實(shí)現(xiàn)激射進(jìn)行輸出時(shí),會(huì)經(jīng)過(guò)無(wú)源區(qū)的雙層波導(dǎo),使得光場(chǎng)向下層波導(dǎo)耦合到達(dá)輸出端面時(shí),光斑垂直方向尺寸得到有效增加,近場(chǎng)光斑得到擴(kuò)展,使得遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)散角減小,從而提高光束輸出質(zhì)量,有利于光束的調(diào)整,并提高了光纖耦合效率,減低封裝耦合成本。同時(shí),由于光場(chǎng)從無(wú)源區(qū)的雙層波導(dǎo)向有源區(qū)的單層波導(dǎo)傳輸時(shí),相對(duì)于僅僅采用單層波導(dǎo),損耗會(huì)增加,從而對(duì)外部反饋光損耗增加,進(jìn)而提高了激光器的抗反射能力。??