一種半導(dǎo)體激光器及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011544095.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112290382B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112290382B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-02 |
| 分類號(hào) | H01S5/183(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 朱堯;周志強(qiáng);劉倚紅;王任凡 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 武漢敏芯半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京中強(qiáng)智尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 王妍 |
| 地址 | 430223湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體激光器及其制作方法，該半導(dǎo)體激光器在諧振腔腔通過(guò)對(duì)接生長(zhǎng)的方式集成無(wú)源區(qū)的第一波導(dǎo)層和第二波導(dǎo)層，在有源區(qū)注入電流產(chǎn)生光增益實(shí)現(xiàn)激射進(jìn)行輸出時(shí)，會(huì)經(jīng)過(guò)無(wú)源區(qū)的雙層波導(dǎo)，使得光場(chǎng)向下層波導(dǎo)耦合到達(dá)輸出端面時(shí)，光斑垂直方向尺寸得到有效增加，近場(chǎng)光斑得到擴(kuò)展，使得遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)散角減小，從而提高光束輸出質(zhì)量，有利于光束的調(diào)整，并提高了光纖耦合效率，減低封裝耦合成本。同時(shí)，由于光場(chǎng)從無(wú)源區(qū)的雙層波導(dǎo)向有源區(qū)的單層波導(dǎo)傳輸時(shí)，相對(duì)于僅僅采用單層波導(dǎo)，損耗會(huì)增加，從而對(duì)外部反饋光損耗增加，進(jìn)而提高了激光器的抗反射能力。?? |
