一種超輻射發(fā)光二極管及其制作方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011223544.6 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN112259649B | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-08-24 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112259649B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-24 |
分類號(hào) | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/08(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張明洋;王任凡 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 武漢敏芯半導(dǎo)體股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 | 代理人 | 許美紅 |
地址 | 430014湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)金融港四路18號(hào)普天物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新研發(fā)基地(一期)1棟3層02室03號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種超輻射發(fā)光二極管及其制作方法,該方法包括以下步驟:在襯底上依次外延生長(zhǎng)出下光限制層、第一MQW多量子阱層以及上光限制層;通過(guò)刻蝕去掉其中一部分第一MQW多量子阱層,然后在該區(qū)域?qū)由L(zhǎng)第二MQW多量子阱層;兩多量子阱層的能帶間隙不同;然后制作出異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu);最后在有源區(qū)兩側(cè)的異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)中各刻蝕出一道溝槽,并在溝槽內(nèi)均設(shè)置一定厚度的金屬層,為有源區(qū)引入額外應(yīng)變。本發(fā)明通過(guò)采用對(duì)接生長(zhǎng)的方法,生長(zhǎng)兩種能帶間隙不同的MQW多量子阱作為有源層,可以很好的控制外延生長(zhǎng)的質(zhì)量,通過(guò)在有源區(qū)兩側(cè)的溝槽內(nèi)設(shè)置金屬層,為有源區(qū)引入額外的應(yīng)變,進(jìn)而調(diào)整有源區(qū)應(yīng)力分布,達(dá)到降低偏振消光比的效果。 |
