一種超輻射發(fā)光二極管及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011223544.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112259649B 公開(kāi)（公告）日 2021-08-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN112259649B 申請(qǐng)公布日 2021-08-24
分類號(hào) H01L33/00（2010.01）I;H01L33/02（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/08（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張明洋;王任凡 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢敏芯半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 代理人 許美紅
地址 430014湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)金融港四路18號(hào)普天物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新研發(fā)基地（一期）1棟3層02室03號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種超輻射發(fā)光二極管及其制作方法，該方法包括以下步驟：在襯底上依次外延生長(zhǎng)出下光限制層、第一MQW多量子阱層以及上光限制層；通過(guò)刻蝕去掉其中一部分第一MQW多量子阱層，然后在該區(qū)域?qū)由L(zhǎng)第二MQW多量子阱層；兩多量子阱層的能帶間隙不同；然后制作出異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)；最后在有源區(qū)兩側(cè)的異質(zhì)結(jié)掩埋結(jié)構(gòu)中各刻蝕出一道溝槽，并在溝槽內(nèi)均設(shè)置一定厚度的金屬層，為有源區(qū)引入額外應(yīng)變。本發(fā)明通過(guò)采用對(duì)接生長(zhǎng)的方法，生長(zhǎng)兩種能帶間隙不同的MQW多量子阱作為有源層，可以很好的控制外延生長(zhǎng)的質(zhì)量，通過(guò)在有源區(qū)兩側(cè)的溝槽內(nèi)設(shè)置金屬層，為有源區(qū)引入額外的應(yīng)變，進(jìn)而調(diào)整有源區(qū)應(yīng)力分布，達(dá)到降低偏振消光比的效果。