一種用于提高數(shù)字隔離器芯片耐壓值的隔離電容
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811516650.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111312696B | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-06-17 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111312696B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-17 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L23/64（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 丁萬(wàn)新;史廣達(dá);陶晶晶;陳東坡 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海川土微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海宏京知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 201306上海市浦東新區(qū)南匯新城鎮(zhèn)環(huán)湖西二路888號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種用于提高數(shù)字隔離器芯片耐壓值的隔離電容，涉及數(shù)字隔離器芯片領(lǐng)域，所述隔離電容包括下極板、上極板以及依次設(shè)置于下極板和上極板之間的SiO2層和鈍化層，所述鈍化層為SiO2和Si3N4的疊加，所述鈍化層的厚度為2～3um，SiO2層的厚度為8～9um。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中電容隔離器芯片的耐壓值不能滿(mǎn)足增強(qiáng)型隔離耐壓要求的問(wèn)題。 |
