一種單晶金剛石激光打標生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910434088.0 申請日 -
公開（公告）號 CN110219044A 公開（公告）日 2021-07-06
申請公布號 CN110219044A 申請公布日 2021-07-06
分類號 C30B29/04;C30B25/02;C23C16/27;C23C16/02;B23K26/362 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 胡付生;王琦;張?zhí)祚?張軍恒;張軍安 申請（專利權(quán)）人 寧波晶鉆科技股份有限公司
代理機構(gòu) 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標事務(wù)所（普通合伙） 代理人 胡擁軍;糜婧
地址 315200 浙江省寧波市鎮(zhèn)海區(qū)莊市街道中官西路777號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種單晶金剛石激光打標生長方法，其包括以下步驟：（S1）提供單晶金剛石種晶；（S2）提供激光標記設(shè)備，利用激光標記設(shè)備在單晶金剛石種晶表面進行標記形成缺陷；（S3）清除進行標記過程中產(chǎn)生的雜質(zhì)；（S4）將標記后的單晶金剛石種晶放入化學(xué)氣相沉積生長爐中，通入氫氣和甲烷，比例為100:2至100:5，將爐內(nèi)氣壓控制在10KPa～15KPa，控制爐內(nèi)單晶金剛石種晶溫度為700℃～800℃，生長時間大于10小時，以使得標記形成的缺陷被覆蓋而不被填充，從而實現(xiàn)在單晶金剛石內(nèi)部形成標記。本發(fā)明操作簡單，加工速度快，以一種經(jīng)濟有效的方案實現(xiàn)了在金剛石內(nèi)部進行標記，且做出的標記通過放大鏡等放大設(shè)備或肉眼即可被觀察到。