單晶金剛石外延生長方法、單晶金剛石及其片狀籽晶
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010931816.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112048760A | 公開（公告）日 | 2020-12-08 |
| 申請公布號 | CN112048760A | 申請公布日 | 2020-12-08 |
| 分類號 | C30B29/04(2006.01)I;C30B25/20(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 張軍安 | 申請（專利權(quán)）人 | 寧波晶鉆科技股份有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 寧波聚禾專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 寧波晶鉆工業(yè)科技有限公司 |
| 地址 | 315000浙江省寧波市鎮(zhèn)海區(qū)莊市街道中官西路777號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請公開了單晶金剛石外延生長方法、單晶金剛石及其片狀籽晶。其中，單晶金剛石同質(zhì)外延生長方法，包括以下步驟：S1.提供一單晶金剛石的片狀籽晶，片狀籽晶具有進行生長的頂面、與頂面相對的底面以及位于頂面與底面之間的側(cè)面，側(cè)面從底面到頂面向內(nèi)傾斜地延伸；S2.將片狀籽晶頂面朝上地設(shè)置在氣相合成設(shè)備的基臺上，然后采用氣相合成法在片狀籽晶上進行同質(zhì)外延生長。本申請采用側(cè)面為傾斜面的片狀籽晶進行外延生長，使得外延生長較為容易，且生長時不易產(chǎn)生多晶，此外，由于生長后得到的單晶金剛石的側(cè)面仍為傾斜面，因此可以在一次外延生長后再進行多次外延生長，從而獲得較大尺寸的單晶金剛石。?? |
