一種單晶金剛石激光打標(biāo)生長(zhǎng)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910434088.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN110219044B | 公開（公告）日 | 2021-07-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110219044B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-06 |
| 分類號(hào) | C30B29/04;C30B25/02;C23C16/27;C23C16/02;B23K26/362 | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 胡付生;王琦;張?zhí)祚?張軍恒;張軍安 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 寧波晶鉆科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 胡擁軍;糜婧 |
| 地址 | 315200 浙江省寧波市鎮(zhèn)海區(qū)莊市街道中官西路777號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種單晶金剛石激光打標(biāo)生長(zhǎng)方法，其包括以下步驟：（S1）提供單晶金剛石種晶；（S2）提供激光標(biāo)記設(shè)備，利用激光標(biāo)記設(shè)備在單晶金剛石種晶表面進(jìn)行標(biāo)記形成缺陷；（S3）清除進(jìn)行標(biāo)記過(guò)程中產(chǎn)生的雜質(zhì)；（S4）將標(biāo)記后的單晶金剛石種晶放入化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)爐中，通入氫氣和甲烷，比例為100:2至100:5，將爐內(nèi)氣壓控制在10KPa～15KPa，控制爐內(nèi)單晶金剛石種晶溫度為700℃～800℃，生長(zhǎng)時(shí)間大于10小時(shí)，以使得標(biāo)記形成的缺陷被覆蓋而不被填充，從而實(shí)現(xiàn)在單晶金剛石內(nèi)部形成標(biāo)記。本發(fā)明操作簡(jiǎn)單，加工速度快，以一種經(jīng)濟(jì)有效的方案實(shí)現(xiàn)了在金剛石內(nèi)部進(jìn)行標(biāo)記，且做出的標(biāo)記通過(guò)放大鏡等放大設(shè)備或肉眼即可被觀察到。 |
