一種提高半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管芯片短路能力的結(jié)構(gòu)及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010653924.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111933604B 公開（公告）日 2021-07-27
申請公布號 CN111933604B 申請公布日 2021-07-27
分類號 H01L23/488（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許海東;諶娟 申請（專利權(quán)）人 南京晟芯半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京禹為知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 朱寶慶
地址 211100江蘇省南京市江寧區(qū)高湖路105號三樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種提高半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管芯片短路能力的結(jié)構(gòu)，包括熱熔材料，設(shè)置于芯片本體的周圍；DBC模塊，所述DBC模塊設(shè)置于所述熱熔材料的下方，與所述芯片本體焊接；底板，所述底板通過焊接設(shè)置于所述DBC模塊下方。本發(fā)明的有益效果：芯片源極通過鍵合方式實(shí)現(xiàn)連接，不需要更換芯片或者增加芯片工藝；對芯片柵極位置無要求，可不改變DBC及芯片布局設(shè)計(jì)；芯片周圍熱容材料在芯片短路時吸收熱量可迅速通過DBC的陶瓷向下傳導(dǎo)，保證芯片具有較低的溫度；方式靈活，可在芯片焊接以外的面積增加熱容材料，提升芯片短路能力；結(jié)構(gòu)原有鍵合設(shè)備可滿足工藝要求。