一種SiCMOSFET模塊陶瓷覆銅板結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021151093.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN212485324U | 公開（公告）日 | 2021-02-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212485324U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-05 |
| 分類號(hào) | H01L25/16(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 諶容 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京晟芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京常青藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 史慧敏 |
| 地址 | 211100江蘇省南京市江寧區(qū)高湖路105號(hào)3樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開一種SiC MOSFET模塊陶瓷覆銅板結(jié)構(gòu)，包括底板、上橋臂、下橋臂、連橋、鋁線，底板中部垂直交叉均勻設(shè)有多個(gè)焊接區(qū)域，上橋臂包括同側(cè)設(shè)立的第一覆銅陶瓷基板、第三覆銅陶瓷基板和設(shè)于底板邊緣中上部的第六覆銅陶瓷基板且信號(hào)端外露，下橋臂包括設(shè)于另一側(cè)的第二覆銅陶瓷基板、第四覆銅陶瓷基板和設(shè)于底板邊緣中下部的第五覆銅陶瓷基板且信號(hào)端外露，第一覆銅陶瓷基板、第二覆銅陶瓷基板、第三覆銅陶瓷基板與第四覆銅陶瓷基板呈田字形均勻設(shè)于焊接區(qū)域上；每個(gè)覆銅陶瓷基板上均設(shè)有芯片焊接區(qū)和多個(gè)柵極電阻。本實(shí)用新型設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)大功率模塊，結(jié)構(gòu)對(duì)稱，觸發(fā)路徑一致，減少震蕩和客戶端故障率，實(shí)現(xiàn)均流且散熱好。?? |
