一種具有抑制振蕩效果的IGBT器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110645399.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113257902A 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN113257902A 申請公布日 2021-08-13
分類號 H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許海東;諶容 申請（專利權）人 南京晟芯半導體有限公司
代理機構 南京睿之博知識產權代理有限公司 代理人 陳琛
地址 211100江蘇省南京市江寧經濟技術開發(fā)區(qū)高湖路105號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有抑制振蕩效果的IGBT器件及其制造方法，所述IGBT器件包括N型漂移區(qū)，在N型漂移區(qū)上側內設有若干溝槽，在溝槽內填充溝槽多晶硅，IGBT器件包括至少兩個閾值電壓不同的區(qū)域，閾值電壓不同的區(qū)域的溝槽之間的間距不同，閾值電壓不同的區(qū)域的柵極電阻不同：低閾值電壓區(qū)域的溝槽之間的間距小于高閾值電壓區(qū)域的溝槽之間的間距，低閾值電壓區(qū)域的柵極電阻阻值大于高閾值電壓區(qū)域的柵極電阻阻值。本發(fā)明提出的IGBT器件對開啟時的產生的電壓、電流振蕩現(xiàn)象有著明顯的改善作用，且不會明顯降低正常使用時的開關速度；本發(fā)明提出的一種IGBT器件的制造方法，制造工藝簡單，和現(xiàn)有工藝兼容，無需增加額外成本。