一種溝槽型IGBT器件及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010702279.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111739940A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-10-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111739940A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-02 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/739(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 許海東 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 南京晟芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京睿之博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 南京晟芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 地址 | 211100江蘇省南京市江寧區(qū)高湖路105號(hào)三樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種溝槽型IGBT器件及其制造方法，屬于功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明的溝槽型IGBT器件設(shè)有兩種不同深度的溝槽結(jié)構(gòu)，兩種溝槽結(jié)構(gòu)按一定的優(yōu)化規(guī)則排列，典型的排列規(guī)則為每?jī)蓚€(gè)相鄰深溝槽結(jié)構(gòu)之間有1~3個(gè)短溝槽結(jié)構(gòu)。短溝槽內(nèi)形成柵氧和多晶硅，短溝槽內(nèi)多晶硅與柵極金屬相連成為柵極多晶，深溝槽內(nèi)同樣形成柵氧和多晶硅。本發(fā)明通過(guò)短溝槽結(jié)構(gòu)底部通過(guò)注入形成N型CS層，CS層分布穩(wěn)定，能夠獲得具有很好的存儲(chǔ)電荷效果，使得器件具有優(yōu)良的正向?qū)ㄌ匦裕辉谏顪喜劢Y(jié)構(gòu)下進(jìn)行了P型注入，有效增強(qiáng)了器件的耐壓特性和EAS能力；制造時(shí)將高溫制程移到深溝槽結(jié)構(gòu)形成之前，能夠有效改善晶圓翹曲，提高器件可靠性。?? |
