一種SiC金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管芯片
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010507601.7 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111682069B | 公開（公告）日 | 2021-04-09 |
| 申請公布號 | CN111682069B | 申請公布日 | 2021-04-09 |
| 分類號 | H01L29/08(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 許海東;諶容;王曦 | 申請（專利權(quán)）人 | 南京晟芯半導體有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 南京禹為知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 朱寶慶 |
| 地址 | 211100江蘇省南京市江寧區(qū)高湖路105號三樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種SiC金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管芯片，包括漂移區(qū)，所述漂移區(qū)設(shè)置于所述晶體管內(nèi)；電流擴展區(qū)，所述電流擴展區(qū)設(shè)置于所述漂移區(qū)上方，雜質(zhì)濃度自所述電流擴展區(qū)與所述漂移區(qū)的界面至所述電流擴展區(qū)的上表面呈梯度遞減規(guī)律分布；p阱區(qū)，各所述p阱區(qū)被包裹設(shè)置于所述電流擴展區(qū)的上表面，且依次間距遞增規(guī)律嵌于所述電流擴展區(qū)中使電流密度分布由芯片中央至邊緣呈非均勻分布規(guī)律。本發(fā)明的有益效果：一是通過設(shè)置相鄰p阱區(qū)之間的間距遞增規(guī)律使電流密度分布由芯片中央至邊緣呈非均勻分布規(guī)律，優(yōu)化芯片不同區(qū)域的熱分布，實現(xiàn)了芯片的溫度性能的提升。?? |
