一種低導(dǎo)通壓降的絕緣柵雙極晶體管及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810570229.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN108807501B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN108807501B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-25 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/66(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分類(lèi) | - |
| 發(fā)明人 | 許海東 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 南京晟芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京科迪生專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 關(guān)玲 |
| 地址 | 211106 江蘇省南京市江寧經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)高湖路105 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種低導(dǎo)通壓降的絕緣柵雙極晶體管及其制備方法，沿著終端區(qū)域(101)、過(guò)渡區(qū)域(102)和原胞區(qū)域(103)的縱向剖面，從下到上依次為：P+集電極層(204)、N+場(chǎng)截止層(203)、N漂移層(202)和表面PN+交替層(201)。所述絕緣柵雙極晶體管的制備方法，是在N型襯底材料上通過(guò)增加一次N型離子注入，在原胞中充當(dāng)載流子存儲(chǔ)層，同時(shí)利用保護(hù)環(huán)P型注入，在原胞處形成PN電荷補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，避免因N型離子注入引起的擊穿電壓降低，同時(shí)N型離子注入提高了終端表面的雜質(zhì)濃度，可以降低可動(dòng)電荷對(duì)終端表面電場(chǎng)的影響，并提高器件的耐壓可靠性。?? |
