一種溝槽型IGBT器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010702279.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111739940B 公開（公告）日 2020-10-02
申請公布號 CN111739940B 申請公布日 2020-10-02
分類號 H01L29/739(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許海東 申請（專利權(quán)）人 南京晟芯半導體有限公司
代理機構(gòu) 南京睿之博知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 南京晟芯半導體有限公司
地址 211100江蘇省南京市江寧區(qū)高湖路105號三樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種溝槽型IGBT器件及其制造方法，屬于功率半導體器件技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明的溝槽型IGBT器件設有兩種不同深度的溝槽結(jié)構(gòu)，兩種溝槽結(jié)構(gòu)按一定的優(yōu)化規(guī)則排列，典型的排列規(guī)則為每兩個相鄰深溝槽結(jié)構(gòu)之間有1~3個短溝槽結(jié)構(gòu)。短溝槽內(nèi)形成柵氧和多晶硅，短溝槽內(nèi)多晶硅與柵極金屬相連成為柵極多晶，深溝槽內(nèi)同樣形成柵氧和多晶硅。本發(fā)明通過短溝槽結(jié)構(gòu)底部通過注入形成N型CS層，CS層分布穩(wěn)定，能夠獲得具有很好的存儲電荷效果，使得器件具有優(yōu)良的正向?qū)ㄌ匦裕辉谏顪喜劢Y(jié)構(gòu)下進行了P型注入，有效增強了器件的耐壓特性和EAS能力；制造時將高溫制程移到深溝槽結(jié)構(gòu)形成之前，能夠有效改善晶圓翹曲，提高器件可靠性。??