一種自加熱的PBN坩堝
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021758342.7 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN214193433U | 公開(公告)日 | 2021-09-14 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN214193433U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-14 |
分類號(hào) | C23C14/26(2006.01)I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 劉汝強(qiáng);王殿春;趙旭榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 山東國晶新材料有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 濟(jì)南金迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 趙龍群 |
地址 | 251200山東省德州市禹城市南環(huán)東路88號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種自加熱的PBN坩堝,屬于坩堝生產(chǎn)加工技術(shù)領(lǐng)域,坩堝包括PBN材質(zhì)的坩堝基體,坩堝基體外表面設(shè)置PG導(dǎo)電層,PG導(dǎo)電層上涂覆一層PBN涂層。本實(shí)用新型通過坩堝自身的PG導(dǎo)電層直接進(jìn)行加熱,有效減少熱量在輻射傳遞過程中的損失,提高能量利用率及加熱效率。 |
