一種壓電性氧化物單晶基板的制造方法、SAW濾波器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111293376.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114006590A 公開(kāi)（公告）日 2022-02-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN114006590A 申請(qǐng)公布日 2022-02-01
分類號(hào) H03H3/08（2006.01）I;H03H9/64（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 王陽(yáng);吳洋洋;曹庭松;陸彬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京超材信息科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李建忠;袁禮君
地址 102600北京市大興區(qū)金盛大街2號(hào)院17號(hào)樓3層301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種壓電性氧化物單晶基板的制造方法，包括：制備富鋰多晶粉體，將碳酸鋰和金屬氧化物混合，進(jìn)行高溫固相反應(yīng)后，破碎，制備富鋰多晶粉體，金屬氧化物中的金屬元素與壓電性氧化物單晶基板中的金屬元素相同，富鋰多晶粉體中的鋰與金屬具有第一化學(xué)計(jì)量比，壓電性氧化物單晶基板中的鋰與金屬具有第二化學(xué)計(jì)量比；制備還原片，將富鋰多晶粉體與還原性粉體按照預(yù)置的比例混合，壓片制備第一還原片和第二還原片；還原處理，將第一還原片、壓電性氧化物單晶基板、第二還原片依次安放在支架上，高溫還原處理預(yù)置時(shí)間后生成表面為偽化學(xué)計(jì)量組成的壓電性氧化物單晶基板。由此，能夠維持壓電性氧化物單晶基板的極化構(gòu)造，提高基板的壓電性。