可調(diào)反射腔的射頻壓電諧振器及制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010834602.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112134539A | 公開（公告）日 | 2020-12-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112134539A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-25 |
| 分類號(hào) | H03H3/02(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 高安明;劉偉;姜偉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 合肥先微企業(yè)管理咨詢合伙企業(yè)（有限合伙） |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海段和段律師事務(wù)所 | 代理人 | 李佳俊;郭國(guó)中 |
| 地址 | 325038 浙江省溫州市浙南科技城創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)新天地一期1號(hào)樓506室（自主申報(bào)） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種可調(diào)反射腔的射頻壓電諧振器及制備方法，包括：諧振器襯底1、犧牲層2、磨平防刻蝕材料5、諧振器平板底電極6、諧振器壓電材料7、諧振器交叉上電極8、壓電層刻蝕窗口9及空氣反射腔10；所述諧振器襯底1能夠支撐可調(diào)反射腔的射頻壓電諧振器；所述犧牲層2形成于諧振器襯底1之上；所述磨平防刻蝕材料5形成于犧牲層2之中；所述諧振器底電極6采用平板結(jié)構(gòu)；所述諧振器上電極8采用交叉結(jié)構(gòu)；所述諧振器底電極6能夠交叉諧振器上電極8形成電場(chǎng)；所述諧振器壓電材料7采用壓電薄膜材料；所述壓電層刻蝕窗口9包括：犧牲層入口單元；本發(fā)明具有單片集成多頻率優(yōu)點(diǎn)，克服了傳統(tǒng)體聲波薄膜諧振器的單片單頻率的不足。?? |
