一種層狀的二硫化鉬薄膜的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510134872.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104746137A 公開(kāi)（公告）日 2015-07-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN104746137A 申請(qǐng)公布日 2015-07-01
分類號(hào) C30B25/02(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;C23C16/448(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 王振中 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門烯成科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 361015 福建省廈門市火炬高新區(qū)創(chuàng)業(yè)園偉業(yè)樓北樓406A室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種層狀的二硫化鉬薄膜的制備方法，采用分子束外延生長(zhǎng)法，包括如下：1)將襯底置于分子束外延設(shè)備的超真空反應(yīng)腔中，調(diào)節(jié)超真空反應(yīng)腔的真空度為10-6～10-7Pa，調(diào)節(jié)襯底溫度為500℃～600℃，除氣20min～30min；2)調(diào)節(jié)襯底溫度為650℃～750℃，以氧化鉬粉末和硫粉末為反應(yīng)源，分別通過(guò)分子束外延設(shè)備的束源爐蒸發(fā)形成氧化鉬分子束和硫分子束噴射到襯底表面，所述氧化鉬分子束和硫分子束在襯底表面發(fā)生反應(yīng)，生長(zhǎng)形成層狀的二硫化鉬薄膜。本發(fā)明通過(guò)分子束外延成膜技術(shù)實(shí)現(xiàn)重復(fù)的層數(shù)可控生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)規(guī)則、表面平整的層狀二硫化鉬薄膜。