一種基于等離子體輔助生長石墨烯的化學(xué)氣相沉積設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201520085865.2 申請日 -
公開（公告）號 CN204490989U 公開（公告）日 2015-07-22
申請公布號 CN204490989U 申請公布日 2015-07-22
分類號 C23C16/26(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 王振中 申請（專利權(quán)）人 廈門烯成科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 361015 福建省廈門市火炬高新區(qū)創(chuàng)業(yè)園偉業(yè)樓北樓406A室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種基于等離子體輔助生長石墨烯的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，所述設(shè)備包括機(jī)架、管式加熱爐膛、石英管和微波裝置，所述石英管通過支撐機(jī)構(gòu)固定在機(jī)架上，所述管式加熱爐膛通過滑動軌道連接在機(jī)架上，沿石英管外壁徑向滑動；所述設(shè)備還包括進(jìn)氣系統(tǒng)，所述進(jìn)氣系統(tǒng)包括氣源和進(jìn)氣石英管，所述進(jìn)氣石英管一端從石英管進(jìn)樣端延伸至石英管中，另一端在石英管外與氣源相連；所述微波裝置包圍在石英管外的進(jìn)氣石英管外部。本實(shí)用新型先利用微波裝置將氣體等離子化，形成密度分布均勻的等離子體，再通入石英管中進(jìn)行加熱生長石墨烯，沉積速率快，薄膜缺陷少，成膜效果好。