一種基于等離子體輔助生長石墨烯的化學氣相沉積設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201520085865.2 申請日 -
公開（公告）號 CN204490989U 公開（公告）日 2015-07-22
申請公布號 CN204490989U 申請公布日 2015-07-22
分類號 C23C16/26(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 王振中 申請（專利權(quán)）人 廈門烯成科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 361015 福建省廈門市火炬高新區(qū)創(chuàng)業(yè)園偉業(yè)樓北樓406A室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種基于等離子體輔助生長石墨烯的化學氣相沉積設(shè)備，所述設(shè)備包括機架、管式加熱爐膛、石英管和微波裝置，所述石英管通過支撐機構(gòu)固定在機架上，所述管式加熱爐膛通過滑動軌道連接在機架上，沿石英管外壁徑向滑動；所述設(shè)備還包括進氣系統(tǒng)，所述進氣系統(tǒng)包括氣源和進氣石英管，所述進氣石英管一端從石英管進樣端延伸至石英管中，另一端在石英管外與氣源相連；所述微波裝置包圍在石英管外的進氣石英管外部。本實用新型先利用微波裝置將氣體等離子化，形成密度分布均勻的等離子體，再通入石英管中進行加熱生長石墨烯，沉積速率快，薄膜缺陷少，成膜效果好。