一種層狀的二硫化鉬薄膜的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510134872.1 申請日 -
公開（公告）號 CN104746137B 公開（公告）日 2017-06-06
申請公布號 CN104746137B 申請公布日 2017-06-06
分類號 C23C16/30(2006.01)I;C23C16/448(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 王振中 申請（專利權）人 廈門烯成科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 361015 福建省廈門市火炬高新區(qū)創(chuàng)業(yè)園偉業(yè)樓南樓S301c室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種層狀的二硫化鉬薄膜的制備方法，采用分子束外延生長法，包括如下：1)將襯底置于分子束外延設備的超真空反應腔中，調(diào)節(jié)超真空反應腔的真空度為10?6～10?7Pa，調(diào)節(jié)襯底溫度為500℃～600℃，除氣20min～30min；2)調(diào)節(jié)襯底溫度為650℃～750℃，以氧化鉬粉末和硫粉末為反應源，分別通過分子束外延設備的束源爐蒸發(fā)形成氧化鉬分子束和硫分子束噴射到襯底表面，所述氧化鉬分子束和硫分子束在襯底表面發(fā)生反應，生長形成層狀的二硫化鉬薄膜。本發(fā)明通過分子束外延成膜技術實現(xiàn)重復的層數(shù)可控生長結構規(guī)則、表面平整的層狀二硫化鉬薄膜。