一種含Ti3SiC2界面層的SiCf/SiC復(fù)合材料的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811524818.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109467450B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109467450B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-24 |
| 分類(lèi)號(hào) | C04B35/80;C04B35/573 | 分類(lèi) | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 發(fā)明人 | 黃小忠;王春齊;唐云;彭立華 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 湖南澤睿新材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 長(zhǎng)沙市融智專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 魏娟 |
| 地址 | 410000 湖南省長(zhǎng)沙市高新開(kāi)發(fā)區(qū)文軒路518號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種含Ti3SiC2界面層的SiCf/SiC復(fù)合材料的制備方法，采用磁控濺射的方法對(duì)SiC纖維編織件進(jìn)行沉積Ti3SiC2，獲得含Ti3SiC2界面層的SiC纖維編織件，然后通過(guò)樹(shù)脂浸漬碳化獲得SiCf/C多孔體，再通過(guò)氣相滲硅獲得SiCf/SiC復(fù)合材料；所述磁控濺射為先采用TiC靶進(jìn)行磁控濺射，在SiC纖維束或SiC纖維編織件表面獲得0.1～0.2μm的TiC過(guò)鍍層，然后再采用TiC靶材與Si靶雙靶共濺射獲得Ti3SiC2，所述Ti3SiC2的厚度控制為0.6～1.0μm；本發(fā)明首創(chuàng)的采用磁控濺射的方法獲得了含Ti3SiC2界面層的SiCf/SiC復(fù)合材料，有效降低了沉積溫度，避免了纖維的損傷，所得界面層在抗氧化性能方面優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)常用的C、BN等界面層。同時(shí)本發(fā)明采用非接觸式氣相滲硅法進(jìn)行陶瓷化，有效的降低了密度梯度，且可保證100％的合格率。 |
