高磁通密度低損耗鐵基納米晶軟磁合金及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110239629.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113035485A | 公開（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113035485A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-25 |
| 分類號(hào) | H01F1/147;H01F41/02;C22C38/10;C22C38/12;C22C38/02;C22C38/06;C22C38/16;C22C38/14;C22C38/04;C22C38/30;C22C38/22;C22C38/32;C22C38/20;C22C38/28;C22C38/38;C22C38/34;B22F9/08;B22F1/00 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 耿振偉;胡庚;朱圓圓;韓仕杰;王雪珂 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 深圳市麥捷微電子科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市千納專利代理有限公司 | 代理人 | 袁燕清 |
| 地址 | 518000 廣東省深圳市坪山區(qū)坑梓街道新喬圍工業(yè)區(qū)新發(fā)路5號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 高磁通密度低損耗鐵基納米晶軟磁合金及其制備方法，為了滿足高頻電感、高頻開關(guān)電源、高頻變壓器等等磁性元器件小型化，大功率化的需求，本發(fā)明公開一種高磁通密度低損耗鐵基納米晶軟磁合金及其制備方法，所述的高磁通密度低損耗鐵基納米晶軟磁合金組成滿足以下分子式：FeaCobWcBdSieCufAlgMi，式中M為C、P、Cr、Ti或Mn其中一種，下標(biāo)a、b、c、d、e、f、g、i分別為相應(yīng)元素原子百分比含量，且滿足10.0≤a≤85.0，10.0≤b≤85.0，2.0≤c≤4.5，3.5≤d≤18.5，1.5≤e≤10.0，0.3≤f≤1.2，0.5≤g≤2.5，0.5≤g≤8.5，0.5≤i≤6.0且a+b+c+d+e+f+g+i＝100；本發(fā)明的有益效果在于，采用本發(fā)明提供的方法制備的納米晶軟磁合金，磁通密度高，損耗低，磁導(dǎo)率高。 |
