一種基于TSV三維封裝的可重構(gòu)芯片天線及其重構(gòu)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010401825.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111585032A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-08-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111585032A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-08-25 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01Q15/00(2006.01)I | 分類(lèi) | - |
| 發(fā)明人 | 劉少斌;胡智勇;周永剛;陳鑫;安彤;蔣海珊;梁景原 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 南京六季光電技術(shù)研究院有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京蘇高專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 南京航空航天大學(xué);南京六季光電技術(shù)研究院有限公司 |
| 地址 | 210016江蘇省南京市秦淮區(qū)御道街29號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于TSV三維封裝的可重構(gòu)芯片天線及其重構(gòu)方法，天線由上至下依次包括十字輻射層、金屬十字縫隙層、可重構(gòu)饋電網(wǎng)絡(luò)層以及偏置和控制層，十字輻射層中硅孔工藝二極管的第一偏置線通過(guò)金屬十字縫隙層和可重構(gòu)饋電網(wǎng)絡(luò)層上的過(guò)孔與偏置和控制層連接；十字輻射層用于天線輻射，嵌到下面的金屬十字縫隙層上；金屬十字縫隙層用于形成頻率和極化兩個(gè)可重構(gòu)變量；可重構(gòu)饋電網(wǎng)絡(luò)層用于雙變量重構(gòu)天線的饋電；偏置和控制層用于布置偏置電路和控制電路。方法通過(guò)控制不同位置的縫隙上硅孔工藝二極管及對(duì)應(yīng)的可重構(gòu)饋電網(wǎng)絡(luò)的S?PIN導(dǎo)通或截止的形式，實(shí)現(xiàn)天線的頻率和極化重構(gòu)。本發(fā)明降低了芯片功耗，減小了對(duì)射頻信號(hào)的無(wú)效反射。?? |
