應(yīng)用于Micro-LED的外延片結(jié)構(gòu)、其制作方法及包括其的LED芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811162087.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109103351A 公開（公告）日 2018-12-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN109103351A 申請(qǐng)公布日 2018-12-28
分類號(hào) H01L51/56;H01L51/50 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 施松剛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江老鷹半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州裕陽(yáng)聯(lián)合專利代理有限公司 代理人 浙江老鷹半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
地址 311800 浙江省紹興市諸暨市陶朱街道展誠(chéng)大道82號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種應(yīng)用于Micro?LED的外延片結(jié)構(gòu)，包括由襯底表面向外依次設(shè)置的GaN緩沖層、U型GaN層、N型GaN層和P型GaN層，所述N型GaN層為第一柱狀結(jié)構(gòu)，所述P型GaN層為第二柱狀結(jié)構(gòu)，所述第一柱狀結(jié)構(gòu)和所述第二柱狀結(jié)構(gòu)之間設(shè)有溝槽，所述溝槽裸露出所述U型GaN層，本發(fā)明中通過外延生長(zhǎng)出N型GaN層和P型GaN層，所述N型GaN層為第一柱狀結(jié)構(gòu)，所述P型GaN層為第二柱狀結(jié)構(gòu)，這樣的結(jié)構(gòu)在后期旋涂有機(jī)發(fā)光層之后，這樣可以提高整個(gè)外延片的波長(zhǎng)的均勻性和一致性，極大拓展了Micro?LED的應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)。