半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010226340.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102315261A 公開(kāi)（公告）日 2012-01-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN102315261A 申請(qǐng)公布日 2012-01-11
分類號(hào) H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 范愛(ài)民 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安能訊微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市中咨律師事務(wù)所 代理人 西安能訊微電子有限公司;蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
地址 710075 陜西省西安市高新區(qū)高新一路25號(hào)創(chuàng)新大廈N701
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的半導(dǎo)體器件，包括：在襯底上的半導(dǎo)體層；在上述半導(dǎo)體層上的隔離層；在上述隔離層上的n型摻雜層；與上述半導(dǎo)體層電氣相通的源極和漏極；以及在上述隔離層上的與上述n型摻雜層分離的柵極。