一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010231809.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101924129B 公開(kāi)（公告）日 2013-01-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN101924129B 申請(qǐng)公布日 2013-01-30
分類(lèi)號(hào) H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 范愛(ài)民 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 西安能訊微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安西交通盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 西安能訊微電子有限公司;蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
地址 710075 陜西省西安市高新區(qū)高新一路25號(hào)創(chuàng)新大廈N701
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該晶體管表面設(shè)有第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層設(shè)置于所述第一介質(zhì)層上，所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層的材料的介電常數(shù)不同，所述第二介質(zhì)層的材料為低介電常數(shù)的材料。本發(fā)明一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管在第一介質(zhì)層上設(shè)置低介電常數(shù)的第二介質(zhì)層，第一層介質(zhì)層為了鈍化材料表面態(tài)和缺陷，第二層介質(zhì)層為了降低強(qiáng)場(chǎng)下的空氣電離效應(yīng)，低介電常數(shù)的第二介質(zhì)層可以大大降低器件的寄生電容，提高器件的截止頻率。第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層也可以輔助形成場(chǎng)板結(jié)構(gòu)，場(chǎng)板結(jié)構(gòu)有利于進(jìn)一步減低電場(chǎng)，減低電流崩塌效應(yīng)。