HEMT器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200810110136.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101604704B 公開（公告）日 2012-09-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN101604704B 申請(qǐng)公布日 2012-09-05
分類號(hào) H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張乃千 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安能訊微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市中咨律師事務(wù)所 代理人 西安能訊微電子有限公司;蘇州捷芯威半導(dǎo)體有限公司
地址 710075 陜西省西安市高新區(qū)高新一路25號(hào)創(chuàng)新大廈N701
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了HEMT器件以及用于制造HEMT器件的方法。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種HEMT器件，包括：在襯底上的緩沖層；在上述緩沖層上的半導(dǎo)體層；在上述半導(dǎo)體層上的隔離層；與上述半導(dǎo)體層接觸的源極和漏極；以及在上述源極和漏極之間的柵極；其中，在上述柵極下方的上述半導(dǎo)體層中的溝道被夾斷。