窄粒徑分布的三元前驅(qū)體的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010690386.9 申請日 -
公開（公告）號 CN111943278A 公開（公告）日 2020-11-17
申請公布號 CN111943278A 申請公布日 2020-11-17
分類號 C01G53/00;H01M4/485;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 羅愛平;吳芳 申請（專利權(quán)）人 廣東芳源新材料集團(tuán)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 廣東芳源環(huán)保股份有限公司
地址 529162 廣東省江門市新會區(qū)古井鎮(zhèn)臨港工業(yè)園A區(qū)11號（廠房一、二、三、四、電房）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種窄粒徑分布的三元前驅(qū)體的制備方法，包括如下步驟，配置溶液：按照預(yù)定的摩爾比例配置鎳離子、鈷離子和M離子的混合溶液A、第一強(qiáng)堿性溶液B1和第一絡(luò)合劑溶液C1；配置底液：向反應(yīng)裝置中加入純水、第二強(qiáng)堿性溶液B2和第二絡(luò)合劑溶液C2；成核和生長階段：成核結(jié)束后，繼續(xù)將所述混合溶液A、所述第一強(qiáng)堿性溶液B1和所述第一絡(luò)合劑溶液C1按預(yù)定比例同時(shí)加入反應(yīng)裝置中，使晶核繼續(xù)生長，期間在反應(yīng)裝置中的溶液到達(dá)或低于所述反應(yīng)裝置的滿液位時(shí)，進(jìn)行提濃處理，使濾清液排出反應(yīng)裝置外，晶核繼續(xù)留在反應(yīng)裝置內(nèi)生長，直至晶核生長至目標(biāo)粒度。