一種基于GGNMOS的ESD保護電路及電子芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111246152.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113964117A 公開（公告）日 2022-01-21
申請公布號 CN113964117A 申請公布日 2022-01-21
分類號 H01L27/02（2006.01）I;H02H9/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李小亮;李文杰;曠章曲 申請（專利權(quán)）人 豪威科技（北京）股份有限公司
代理機構(gòu) 北京凱特來知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鄭立明;付久春
地址 100085北京市海淀區(qū)豐豪東路9號院2號樓6層3單元603
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于GGNMOS的ESD保護電路及電子芯片，保護電路包含至少一個GGNMOS，各GGNMOS內(nèi)部形成豎向寄生三極管的Nwell區(qū)僅直接電性連接至GNDIO，使該GGNMOS內(nèi)部的豎向寄生三極管與橫向寄生三極管并聯(lián)連接后共同形成IO至GNDIO的放電路徑。通過將GGNMOS內(nèi)部形成豎向寄生三極管的Nwell區(qū)直接電性連接至GNDIO，不再與VDDIO連接，避免了豎向寄生三極管向VDDIO形成放電路徑，不會影響橫向寄生三極管的放電不均勻性，放電電流都要經(jīng)過GNDIO路徑到VDDIO，降低了橫向寄生三極管的開啟電壓Vt1，即以相對簡單的方式，很大程度消除了GGNMOS固有的導(dǎo)通不均勻特征，提升了該ESD保護電路的靜電保護效果。