帶深L形基區(qū)的單側(cè)斜面柵碳化硅MOSFET器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111322446.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113990744A 公開（公告）日 2022-01-28
申請公布號 CN113990744A 申請公布日 2022-01-28
分類號 H01L21/04（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 董志華;劉輝;劉國華;程知群 申請（專利權(quán)）人 杭州電子科技大學(xué)富陽電子信息研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州昱呈專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 雷仕榮
地址 311400浙江省杭州市富陽區(qū)銀湖街道銀湖花苑3號樓三層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了帶深L形基區(qū)的單側(cè)斜面柵碳化硅MOSFET器件及其制備方法，其中主要步驟為S80，為得到柵槽，對碳化硅進(jìn)行第一次刻蝕，一次刻蝕所用掩膜包含一種低刻蝕選擇比和一種較高刻蝕選擇比的兩種掩膜，分別用于形成柵槽下半部分的斜面和垂直面結(jié)構(gòu)；S90，為得到柵槽，對碳化硅進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掩膜為刻蝕選擇比較高的掩膜，用于形成兩側(cè)都為垂直面的槽；S100，高溫干氧氧化形成柵介質(zhì)。本發(fā)明保證柵氧化層的可靠性，在器件反向阻斷時，柵氧化層的電場強(qiáng)度能降低到很低，并且施加保護(hù)結(jié)構(gòu)后也不影響器件的正向?qū)ㄐ阅?，保證導(dǎo)通電阻不會增加，電流輸出能力不會降低。