一種小體積高亮度氮化鎵發(fā)光二極管芯片的制造方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN200410097276.2 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN100536178C | 公開(kāi)(公告)日 | 2009-09-02 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN100536178C | 申請(qǐng)公布日 | 2009-09-02 |
分類號(hào) | H01L33/00(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 肖志國(guó);王省蓮;馬欣榮;陳向東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 大連路美芯片科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 116025遼寧省大連市高新園區(qū)七賢嶺高能街1號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了制作一種小體積高亮度,具有特殊表面幾何圖形的氮化鎵發(fā)光二極管芯片的制造方法,這種小芯片面積為0.15×0.15mm2~0.3×0.3mm2;厚度50±10μm~80±10μm;P電極為圓形,直徑φ為60mm~110mm;N電極為水滴狀幾何圖形,直徑φ為60mm~110mm。通過(guò)(一)外延生長(zhǎng)、(二)蒸發(fā)透明電極、(三)刻蝕臺(tái)階、(四)鈍化、(五)P、N電極制作、(六)退火、(七)參數(shù)測(cè)試、(八)研磨、切割、(九)測(cè)試分類九大工藝步驟制作一種的小芯片。本發(fā)明制作的芯片具有體積小,亮度高,生產(chǎn)效率高,低成本,應(yīng)用范圍寬等優(yōu)點(diǎn)。 |
