一種GaN基發(fā)光二極管及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN200910219700.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN102054915A | 公開（公告）日 | 2011-05-11 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN102054915A | 申請(qǐng)公布日 | 2011-05-11 |
| 分類號(hào) | H01L33/46(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉碩;武勝利;劉麗;柯志杰;陳向東;肖志國(guó) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 大連路美芯片科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 116025 遼寧省大連市高新園區(qū)高能街1號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管及其制作方法，適用于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)在襯底上生長(zhǎng)發(fā)光二極管，在p型電極和透光層間加反射電極層，電極反射層的材料為Ag、Al、Pb、Rh中的一種或兩種，其厚度是100-600nm，電極反射層使射向p電極的光被反射回去，經(jīng)反射層反射后射出，減少電極的擋光，增加發(fā)光二極管的亮度，亮度約增加5％。 |
