一種氮化鎵基LED外延片及其生長(zhǎng)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200810229846.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101752480A 公開(kāi)（公告）日 2010-06-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN101752480A 申請(qǐng)公布日 2010-06-23
分類號(hào) H01L33/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊天鵬;郭文平;陳向東;劉海燕;肖志國(guó) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 大連路美芯片科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 116025 遼寧省大連市高新園區(qū)七賢嶺高能街1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種氮化鎵基LED外延片及其生長(zhǎng)方法，即在氮化鎵基LED外延片中引入電容式結(jié)構(gòu)，該電容式結(jié)構(gòu)包括n型電容式結(jié)構(gòu)和p型電容式結(jié)構(gòu)，n型電容式結(jié)構(gòu)為氮化鎵基n型層/非摻雜層/氮化鎵基n型層結(jié)構(gòu)；p型電容式結(jié)構(gòu)為氮化鎵基p型層/非摻雜層/氮化鎵基p型層結(jié)構(gòu)；通過(guò)在n型和p型氮化鎵層中形成電容式外延結(jié)構(gòu)，緩解靜電對(duì)氮化鎵基LED芯片的沖擊，提高LED芯片對(duì)靜電的耐受能力。