一種氮化鎵基LED外延片及其生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200810229846.7 申請日 -
公開（公告）號 CN101752480B 公開（公告）日 2011-06-29
申請公布號 CN101752480B 申請公布日 2011-06-29
分類號 H01L33/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊天鵬;郭文平;陳向東;劉海燕;肖志國 申請（專利權(quán)）人 大連路美芯片科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 116025 遼寧省大連市高新園區(qū)高能街1號B607
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種氮化鎵基LED外延片及其生長方法，即在氮化鎵基LED外延片中引入電容式結(jié)構(gòu)，該電容式結(jié)構(gòu)包括n型電容式結(jié)構(gòu)和p型電容式結(jié)構(gòu)，n型電容式結(jié)構(gòu)為氮化鎵基n型層/非摻雜層/氮化鎵基n型層結(jié)構(gòu)；p型電容式結(jié)構(gòu)為氮化鎵基p型層/非摻雜層/氮化鎵基p型層結(jié)構(gòu)；通過在n型和p型氮化鎵層中形成電容式外延結(jié)構(gòu)，緩解靜電對氮化鎵基LED芯片的沖擊，提高LED芯片對靜電的耐受能力。