一種用于發(fā)光二極管失效分析的芯片取出方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910219611.4 申請日 -
公開（公告）號 CN102053218A 公開（公告）日 2011-05-11
申請公布號 CN102053218A 申請公布日 2011-05-11
分類號 G01R31/26(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 張玉濤;王景偉;朱世斌;陳向東;肖志國 申請（專利權(quán)）人 大連路美芯片科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 116025 遼寧省大連市高新園區(qū)高能街1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種用于發(fā)光二極管失效分析的芯片取出方法，本方法好處在于通過調(diào)控腐蝕劑的濃度、溫度和腐蝕時間，迅速把半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中環(huán)氧樹脂去除掉，再用清洗劑把裸露出的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片進(jìn)行清洗，以達(dá)到把半導(dǎo)體發(fā)光芯片完好的從封裝結(jié)構(gòu)中取出目的。本方法簡單易操作，對半導(dǎo)體發(fā)光芯片表面和性能無本質(zhì)影響，是半導(dǎo)體發(fā)光芯片失效分析中一種非常重要的方法。