一種提高內(nèi)量子效率的LED外延結(jié)構(gòu)及生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210549917.8 申請日 -
公開（公告）號 CN103996765A 公開（公告）日 2014-08-20
申請公布號 CN103996765A 申請公布日 2014-08-20
分類號 H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖志國;展望;楊天鵬;劉俊;蘆玲;武勝利 申請（專利權(quán)）人 大連路美芯片科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 116025 遼寧省大連市高新區(qū)高能街1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種提高內(nèi)量子效率的LED外延結(jié)構(gòu)及生長方法，在下P型GaN層和P型AlGaN層之間引入P-InxGa1-xN/P-AlyInzGa1-y-zN空穴注入層，引入P-InGaN層有利于空穴的積累，從而增加P-InGaN處空穴濃度，增強(qiáng)空穴的注入。同時(shí)P-AlInGaN的引入提高了有效勢壘高度減少了電子的泄漏，使電子和空穴在發(fā)光量子阱區(qū)域的復(fù)合效率得到提高，進(jìn)而提高器件內(nèi)量子效率。本發(fā)明的外延片按常規(guī)芯片工藝，制成單顆尺寸為10×23mil、以ITO為透明電極的LED芯片，經(jīng)過芯片測試，測試電流20mA，單顆芯片光輸出功率可得到10%-25%的提升。