一種霍爾傳感器及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | 2020111313166 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112259679A | 公開（公告）日 | 2021-01-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112259679A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-01-22 |
| 分類號(hào) | H01L43/06(2006.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李健萍;陳嵐 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 佛山中科芯蔚科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 姚璐華 |
| 地址 | 528200廣東省佛山市南海區(qū)桂城街道深海路17號(hào)瀚天科技城A區(qū)7號(hào)樓一樓104單元 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種霍爾傳感器及其制作方法，包括P型襯底以及位于所述P型襯底上的N阱有源區(qū)、P型覆蓋層、引出電極和至少四個(gè)接觸孔；所述P型覆蓋層和所述引出電極位于所述N阱有源區(qū)的中間區(qū)域；所述引出電極覆蓋所述P型覆蓋層，且分布在所述P型覆蓋層的中間區(qū)域；所述至少四個(gè)接觸孔分布在所述N阱有源區(qū)的四周，且分別位于所述引出電極的至少四個(gè)叉指的外端。因此，在霍爾傳感器工作時(shí)，能夠在N阱有源區(qū)和P型覆蓋層之間產(chǎn)生耗盡層，從而可以有效減少熱載流子效應(yīng)，改善N阱有源區(qū)雜質(zhì)的高斯分布，增加有效的N阱深度，降低N阱雜質(zhì)濃度，進(jìn)而可以提高霍爾器件的靈敏度。?? |
