一種太陽能鍺單晶生長用懸浮坩堝支架

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201520949982.9 申請日 -
公開（公告）號 CN205171016U 公開（公告）日 2016-04-20
申請公布號 CN205171016U 申請公布日 2016-04-20
分類號 C30B29/08(2006.01)I;C30B15/10(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陸海鳳;柯尊斌;秦瑤;席珍強 申請（專利權）人 南京中鍺科技有限責任公司
代理機構 北京天平專利商標代理有限公司 代理人 中鍺科技有限公司;南京中鍺科技有限責任公司
地址 211299 江蘇省南京市溧水開發(fā)區(qū)中興東路9號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種太陽能鍺單晶生長用懸浮坩堝支架，包括支架本體，所述支架本體呈環(huán)形凹槽結構，所述支架本體設于懸浮坩堝上部、通過凹槽卡緊懸浮坩堝的上沿，所述環(huán)形凹槽外圍突出若干個卡位結構與大堝接觸以保持穩(wěn)定；所述支架本體的環(huán)形凹槽結構包括外圍壁、形成在外圍壁內的凹槽以及凹槽中心的中空圓。本實用新型提供的支架本體與懸浮坩堝直接相連后，實際上成為懸浮坩堝的配重裝置，通過控制支架本體的重量，在設計熱場時可以更加自由地設計懸浮坩堝的熔體深度和界面形狀，拉出零位錯鍺單晶的成功率也大大提高。