一種銅銦鎵硫硒薄膜材料的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510420561.1 申請日 -
公開（公告）號 CN105118877A 公開（公告）日 2015-12-02
申請公布號 CN105118877A 申請公布日 2015-12-02
分類號 H01L31/032(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉芳洋;高春暉;蔣良興;趙聯(lián)波;曾芳琴 申請（專利權(quán)）人 湖南銥太科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 長沙市融智專利事務(wù)所 代理人 顏勇
地址 410083 湖南省長沙市岳麓區(qū)岳麓街道麓山南路966號第7棟第二層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了本發(fā)明涉及一種銅銦鎵硫硒薄膜材料的制備方法，屬于新能源材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在太陽能電池基底上通過反應(yīng)濺射的方法制備預(yù)制層銅銦鎵硫，在一定條件下進(jìn)行硒化退火，得到銅銦鎵硫硒薄膜材料。該方法通過反應(yīng)濺射制備銅銦鎵硫預(yù)制層，可以有效控制薄膜成分和生長情況，再通過硒化退火實(shí)現(xiàn)硒的并入，制得銅銦鎵硫硒薄膜。這種反應(yīng)濺射預(yù)制層后硒化的方法制備出的銅銦鎵硫硒薄膜材料能夠精確控制薄膜中各元素的化學(xué)計(jì)量比、膜的厚度和成分的分布，薄膜的致密度高，體積膨脹小，可有效地解決現(xiàn)有方法制備銅銦鎵硫硒半導(dǎo)體薄膜材料過程中存在的成分不易控制、均勻性欠佳、表面缺陷較多及易產(chǎn)生不利雜相等問題，且該方法對設(shè)備的要求不高，易于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，在生產(chǎn)中可以大規(guī)模推廣。