一種氧化硅薄膜的可流動(dòng)化學(xué)氣相沉積方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810977212.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109166787B 公開(kāi)（公告）日 2019-06-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN109166787B 申請(qǐng)公布日 2019-06-28
分類號(hào) H01L21/02（2006.01）I; H01L21/762（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 銅陵安德科銘電子材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 230088 安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新大道106號(hào)明珠產(chǎn)業(yè)園3號(hào)樓5層E區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種具有較低蝕刻速率的氧化硅薄膜的可流動(dòng)化學(xué)氣相沉積方法，以具有環(huán)形分子結(jié)構(gòu)的環(huán)硅烷作為前驅(qū)體，與含氮化合物反應(yīng)沉積到襯底上，形成可流動(dòng)的硅氮薄膜，經(jīng)過(guò)氧化性氣體氧化，得到氧化硅薄膜。本發(fā)明形成的氧化硅薄膜的Si?H鍵密度顯著降低，濕蝕刻速率也大大降低，經(jīng)過(guò)高溫退火或紫外固化之后，在有圖案的硅晶片上，可實(shí)現(xiàn)從下至上的、無(wú)縫間隙填充；在空白硅晶片上，可形成高質(zhì)量的氧化硅薄膜；均勻性好，覆蓋性能優(yōu)良。