一種氧化硅薄膜的可流動化學氣相沉積方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810977212.3 申請日 -
公開（公告）號 CN109166787B 公開（公告）日 2019-06-28
申請公布號 CN109166787B 申請公布日 2019-06-28
分類號 H01L21/02（2006.01）I; H01L21/762（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 銅陵安德科銘電子材料科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 230088 安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新大道106號明珠產(chǎn)業(yè)園3號樓5層E區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種具有較低蝕刻速率的氧化硅薄膜的可流動化學氣相沉積方法，以具有環(huán)形分子結(jié)構(gòu)的環(huán)硅烷作為前驅(qū)體，與含氮化合物反應沉積到襯底上，形成可流動的硅氮薄膜，經(jīng)過氧化性氣體氧化，得到氧化硅薄膜。本發(fā)明形成的氧化硅薄膜的Si?H鍵密度顯著降低，濕蝕刻速率也大大降低，經(jīng)過高溫退火或紫外固化之后，在有圖案的硅晶片上，可實現(xiàn)從下至上的、無縫間隙填充；在空白硅晶片上，可形成高質(zhì)量的氧化硅薄膜；均勻性好，覆蓋性能優(yōu)良。