一種小發(fā)散角N型共陰極MicroLED器件及其陣列
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111241713.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113838961A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-12-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113838961A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-24 |
| 分類號(hào) | H01L33/60（2010.01）I;H01L33/58（2010.01）I;H01L33/02（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I;H01L27/15（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 孫雷;張婧姣 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京數(shù)字光芯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京沁優(yōu)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 周慶路 |
| 地址 | 100000北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)中和街14號(hào)2幢2層A2079號(hào)（集中辦公區(qū)） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種小發(fā)散角N型共陰極Micro LED器件及其陣列，小發(fā)散角N型共陰極Micro LED器件包括像素電極和發(fā)光顆粒，所述發(fā)光顆粒為采用垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光二極管微粒，所述發(fā)光顆粒包括N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體和設(shè)置在二者之間的發(fā)光量子阱，所述像素電極與所述P型半導(dǎo)體相連接，所述N型半導(dǎo)體與外部陰極電極相連接，且所述發(fā)光顆粒的側(cè)邊設(shè)置有絕緣隔離結(jié)構(gòu)，收斂發(fā)散角，絕緣隔離結(jié)構(gòu)采用絕緣材料或絕緣氣體或絕緣膜層中的一種或多種的組合，用于隔離若干相鄰的隔離部、P型半導(dǎo)體和發(fā)光量子阱。本發(fā)明通過(guò)將MicroLED顆粒本身的N型半導(dǎo)體層代替單獨(dú)制作的陰極電極，提高了出光效率。 |
