一種減少CMOS反向器短路電流的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810299699.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109039322A 公開（公告）日 2018-12-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN109039322A 申請(qǐng)公布日 2018-12-18
分類號(hào) H03K19/00 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 程旭;王傳政;喻明艷;韓曉磊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京北大眾志微系統(tǒng)科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 中國兵器工業(yè)集團(tuán)公司專利中心 代理人 北京北大眾志微系統(tǒng)科技有限責(zé)任公司
地址 100080 北京市海淀區(qū)中關(guān)村北大街151號(hào)燕園大廈11層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于CMOS數(shù)字電路領(lǐng)域，應(yīng)用于CPU,SRAM，ASIC等電路的設(shè)計(jì),具體涉及一種減少CMOS反向器短路電流的方法,所述方法是在反向器的襯底端施加源?襯偏置電壓，改變PMOS管和NMOS管的閾值電壓，從而減少反相器狀態(tài)翻轉(zhuǎn)瞬間的短路電流，進(jìn)而降低無效功耗。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明通過在反向器的襯底端施加偏置電壓來改變PMOS管和NMOS管的閾值電壓，從而達(dá)到減小短路電流的目的，且多個(gè)反向器可共用一套閾值電壓調(diào)制電路，面積和功耗較現(xiàn)有技術(shù)都有很大優(yōu)勢。