一種在位線結(jié)構(gòu)中設(shè)置有傳輸門(mén)的SRAM及存取提升方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011469195.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112579002A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-30 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112579002A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-30 |
| 分類(lèi)號(hào) | G06F3/06(2006.01)I | 分類(lèi) | 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù); |
| 發(fā)明人 | 程旭;王傳政;喻明艷;韓曉磊 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 北京北大眾志微系統(tǒng)科技有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京科迪生專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 張乾楨 |
| 地址 | 100080北京市海淀區(qū)中關(guān)村北大街號(hào)燕園大廈11層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提出一種在位線結(jié)構(gòu)中設(shè)置有傳輸門(mén)的SRAM及存取提升方法，該SRAM包括：多個(gè)存儲(chǔ)單元，組成存儲(chǔ)陣列；每個(gè)個(gè)存儲(chǔ)單元包括外圍驅(qū)動(dòng)電路，字線WL、鎖存器，以及位線；所述位線包括位線BL、和位線其中，在位線的預(yù)定位置處插入一個(gè)雙向傳輸門(mén)，以所述雙向傳輸門(mén)為節(jié)點(diǎn)，將位線截為兩段，使得靠近讀出放大器一側(cè)位線寄生RC降低，提升存取速度。?? |
